YAG+Nd:YAG+YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd:YAG的熱導(dǎo)率為14W/m/K, 20oC, 10.5W/m/K, 100oC，純YAG晶體的熱導(dǎo)率為14W/m/K@20℃、10.5W/m/K@100℃，兩端鍵合形成YAG+Nd:YAG+YAG鍵合晶體，可以有效改善Nd:YAG晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，改善激光的光束質(zhì)量，提升1064nm、1319nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的YAG+Nd:YAG+YAG鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR/AR@1064nm, 或者S1:HR@1064nm，S2: PR@1064nm等。YAG+Nd:YAG+YAG鍵合晶體在生物物理，醫(yī)學(xué)，軍事，機(jī)械，科研和建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
特點(diǎn)：
YAG+Nd:YAG+YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd:YAG+Cr:YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd:YAG的熱導(dǎo)率為14W/m/K, 20o C, 10.5W/m/K, 100oC，Cr:YAG晶體的熱導(dǎo)率為12.13W/m/K，兩端鍵合形成Nd:YAG+Cr:YAG鍵合晶體，可以有效改善Nd:YAG晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，改善激光的光束質(zhì)量，提高損傷閾值，減少熱效應(yīng)，提高效率并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。經(jīng)過(guò)精密光學(xué)加工的表面的分子相互擴(kuò)散、融合，形成更穩(wěn)定的化學(xué)鍵，達(dá)到真正意義上的結(jié)合為一體，可以使激光器件小型化、集成化，同時(shí)改善激光棒的熱性能。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的Nd:YAG+Cr:YAG鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR/AR@1064nm+808nm,或者S1:HR@1064nm&AR@808nm，S2: PR@1064nm&HR@808nm等。Nd:YAG+Cr:YAG鍵合晶體在生物物理，醫(yī)學(xué)，軍事，機(jī)械，科研和建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
特點(diǎn)：
Nd:YAG+Cr:YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd:YVO<sub>4</sub>+KTP最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd:YVO4的熱傳導(dǎo)系數(shù)為∥C:5.23W/m/K;⊥C:5.10W/m/K,KTP晶體的熱導(dǎo)率為0.13W/m/k (@ 100℃)，兩端鍵合形成Nd:YVO4+KTP鍵合晶體，可以有效改善Nd:YVO4晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)。改善激光的光束質(zhì)量，提升457nm、671nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的Nd:YVO4+KTP鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR@1064nm&532nm等。Nd:YVO4+KTP鍵合晶體廣泛用于在機(jī)械、材料加工、波譜學(xué)、晶片檢驗(yàn)、顯示器、醫(yī)學(xué)檢測(cè)、激光印刷、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等多個(gè)領(lǐng)域。
特點(diǎn)：
Nd:YVO<sub>4</sub>+KTP最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>YVO4+Nd:GdVO4+YVO4 Read More ?
YVO<sub>4</sub>+Nd:GdVO<sub>4</sub>+YVO<sub>4</sub>最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd:GdVO4的熱導(dǎo)率為11.7W/cm/°K@ 25°C,純YVO4晶體的熱導(dǎo)率為 //C: 5.23 W/m/K ； ⊥C: 5.10 W/m/K，兩端鍵合形成YVO4+Nd:GdVO4+YVO4鍵合晶體，可以有效改善Yb:YAG晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，改善激光的光束質(zhì)量，提升457nm、671nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的YVO4+Nd:GdVO4+YVO4鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR@1064nm+808nm，或者S1:HR@1064nm&AR@808nm，S2:PR@1064nm&HR@808nm等。YVO4+Nd:YVO4+YVO4鍵合晶體廣泛用于在機(jī)械、材料加工、波譜學(xué)、晶片檢驗(yàn)、顯示器、醫(yī)學(xué)檢測(cè)、激光印刷、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等多個(gè)領(lǐng)域。
特點(diǎn)：
YVO<sub>4</sub>+Nd:GdVO<sub>4</sub>+YVO<sub>4</sub>最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>YVO<sub>4</sub>+Nd:YVO<sub>4</sub>+YVO<sub>4</sub>最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd:YVO4的熱導(dǎo)率為11.7W/cm/°K@ 25°C,純YVO4晶體的熱導(dǎo)率為 //C: 5.23 W/m/K ；⊥C: 5.10 W/m/K，兩端鍵合形成YVO4+Nd:YVO4+YVO4鍵合晶體，可以有效改善Nd:YVO4晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，改善激光的光束質(zhì)量，提升457nm、671nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的YVO4+Nd:YVO4+YVO4鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR@1064nm+808nm，或者S1:HR@1064nm&AR@808nm，S2:PR@1064nm&HR@808nm等。YVO4+Nd:YVO4+YVO4鍵合晶體廣泛用于在機(jī)械、材料加工、波譜學(xué)、晶片檢驗(yàn)、顯示器、醫(yī)學(xué)檢測(cè)、激光印刷、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等多個(gè)領(lǐng)域。
特點(diǎn)：
YVO<sub>4</sub>+Nd:YVO<sub>4</sub>+YVO<sub>4</sub>最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>YAG+Er:YAG+YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Er:YAG的熱導(dǎo)率為14W/m/K@20℃. 10.5W/m/K@100℃,純YAG晶體的熱導(dǎo)率為14W/m/K@20℃ 10.5W/m/K@100℃，兩端鍵合形成YAG+Er:YAG+YAG鍵合晶體，可以有效改善Er:YAG晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，改善激光的光束質(zhì)量，提升1600nm、2940nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的YAG+Er:YAG+YAG鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR/AR@1645nm，或者AR/AR@2940nm，或者S1:HR@2940nm，S2: PR@2940nm等。YAG+Er:YAG+YAG鍵合晶體廣泛用于于整形外科和牙科領(lǐng)域等。
特點(diǎn)：
YAG+Er:YAG+YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Cr:ZnSe的熱傳導(dǎo)系數(shù)為14W/cm/°K@ 20°C,ZnSe晶體的熱導(dǎo)率為18W/m/K，兩端鍵合形成ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體，可以有效改善Cr:ZnSe晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，改善激光的光束質(zhì)量，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。可調(diào)性廣泛（從2.1-3.1μm發(fā)射），增大增益截面（σ發(fā)射?9 × 10-19 cm2）以及激發(fā)態(tài)吸收的最小問(wèn)題（不允許上能級(jí)激發(fā)態(tài)的自旋躍遷）等優(yōu)點(diǎn)。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR@2300~2500nm等。ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體廣泛的應(yīng)用于光通信、污染氣體檢測(cè)、工業(yè)燃燒產(chǎn)物測(cè)試等領(lǐng)域。
ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG Read More ?
YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Cr,Tm,Ho:YAG的熱導(dǎo)率為14W/m/K, 20°C · 10.5W/m/K, 100°C ,純YAG晶體的熱導(dǎo)率為14W/m/K@20℃ 10.5W/m/K@100℃，兩端鍵合形成YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG鍵合晶體，可以有效改善Cr,Tm,Ho:YAG晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，良好的化學(xué)穩(wěn)定性、耐用性、耐紫外線、良好的導(dǎo)熱性和高損傷閾值(>500MW/cm2)及易于操作以及改善激光的光束質(zhì)量，提升2100nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR/AR@2080nm，或者S1:HR@2080nm，S2: PR@2080nm等。YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG鍵合晶體廣泛用于醫(yī)療、激光雷達(dá)、軍事等領(lǐng)域。
YAG+Cr,Tm,Ho:YAG+YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd,Ce:YAG+Cr:YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Nd,Ce:YAG的熱導(dǎo)率為14W/m/K, 20o C, 10.5W/m/K, 100oC，Cr:YAG晶體的熱導(dǎo)率為12.13W/m/K，兩端鍵合形成Nd,Ce:YAG+Cr:YAG鍵合晶體，可以改善激光的光束質(zhì)量，改善光束質(zhì)量，提高損傷閾值，減少熱效應(yīng)，提高效率并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。經(jīng)過(guò)精密光學(xué)加工的表面的分子相互擴(kuò)散、融合，形成更穩(wěn)定的化學(xué)鍵，達(dá)到真正意義上的結(jié)合為一體，可以使激光器件小型化、集成化，同時(shí)改善激光棒的熱性能。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的Nd,Ce:YAG+Cr:YAG鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。Cr:YAG初始傳輸是在30～99%。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR/AR@1064nm, 或者S1:HR@1064nm，S2: PR@1064nm等。Nd,Ce:YAG+Cr:YAG鍵合晶體在生物物理，醫(yī)學(xué)，軍事，機(jī)械，科研和建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
特點(diǎn)：
Nd,Ce:YAG+Cr:YAG最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Er，Yb :glass+Co:spinel Read More ?
Er，Yb :glass+Co:spinel最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>鍵合形成Er，Yb :glass+Co:spinel鍵合晶體，可以有效改善Er,Yb:glass晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，改善激光的光束質(zhì)量，提升1535nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。
芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過(guò)快原子或者離子束對(duì)鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對(duì)而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。
生產(chǎn)的Er，Yb :glass+Co:spinel鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR@1535nm，或者S1:HR@1535nm+AR@940nm,S2:AR@1535+HR@940nm，或者S1:HR@1535nm+AR@940nm,? S2:PR@1535+HR@940nm等。Er，Yb :glass+Co:spinel鍵合晶體廣泛應(yīng)用于測(cè)距儀，雷達(dá)，目標(biāo)識(shí)別等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
特點(diǎn)：
Er，Yb :glass+Co:spinel最先出現(xiàn)在芯飛睿。
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